HS16F1211

HS16F1211產品簡介:

圖片[1]-HS16F1211數(shù)據(jù)手冊-深圳市億勝盈科科技有限公司

HS16F1211 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 8 位單片機,它內建了 1K*14-bit 的 FLASH、128 Byte 的 EEPROM、64Byte 的 SRAM,包含 3 個 12 位 PWM。

CPU特性:

◆ 42 條 RISC 指令,除了跳轉指令是兩個周期,所有的指令都是單周期

◆ 14 位寬指令,8 位寬數(shù)據(jù)路徑,8 級深度硬件堆棧

◆ 支持 GOTO 指令全 ROM 跳轉、支持全 ROM 子程序調用

◆ 1K×14 的程序存儲器

◆ 128 × 8 位 EEPROM 數(shù)據(jù)存儲區(qū)

◆ 64 × 8 位通用寄存器

◆ 直接、間接尋址方式

◆ 擁有 1 個可編程預分頻器的 8 位實時時鐘器(TC0)

◆ 擁有 1 個可編程預分頻器的 12 位實時時鐘器(TP0)

◆ 內部上電復位電路(

POR)、內置欠壓復位(BOR)

◆ 上電復位定時器(

PWRT)和振蕩器啟動定時器(OST)

◆ 看門狗定時器(WDT)使用內部晶振可靠性高,由軟件使能或禁止

◆ 1 組 I/O 口,可配置上拉、下拉和開漏等狀態(tài)

◆ 4 種工作模式可任意切換:正常模式、低速模式、睡眠模式、綠色模式

◆ 喚醒睡眠:INT/INT1 管腳中斷、IOB 的輸入狀態(tài)改變、TC0 溢出喚醒

◆ 喚醒綠色:INT/INT1 管腳中斷、IOB 的輸入狀態(tài)改變、TC0、TP0 溢出喚醒

◆ 省電休眠模式,可編程代碼保護

◆ 可選的振蕩器選項:內部高速振蕩器、內部低速振蕩器、外部低速晶體振蕩器

◆ 5 種可用中斷:TC0 溢出中斷、IOB 端口變化中斷、INT/INT1 中斷、TP0 溢出中斷、

◆ 寬工作電壓范圍:2.2V 至 5.5V

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